绍兴澎芯半导体有限公司

澎芯半导体1200V Gen-2新产品发布 澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，2024年Q3月份推出Gen-2代新产品，已经过6个月全面的可靠性考核，其封装形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL、TOLT。经过工艺和设计优化，Gen-2代比Gen-1代面积减小约25%，将进一步提升产品性价比。新产品比导...

预祝第26届集成电路制造年会顺利召开 5月22日，第26届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会在广州开幕。大会以“助力产业路径创新 共建自主产业生态”为主题，共同探讨集成电路产业的发展趋势和创新路径。 澎芯半导体参加会议，并预祝会议顺利召开！

澎芯半导体参加2024年第三届第三代半导体材料技术与市场研讨会 半导体在线将于2024年3月28日-29日在苏州组织召开2024年第三届第三代半导体材料技术与市场研讨会，重点探讨SiC/GaN衬底、外延、器件设计技术，以及在新能源、轨道交通、电网等领域的应用！ 届时澎芯半导体将与会分享题为《碳化硅器件考核中的一些问题》的报告，欢迎大家参会指导与研讨！

定制合作-推出多个型号的碳化硅模块产品模块产品-合作开发澎芯半导体在SiC SBD和SiC MOSFET系列化量产的基础上，现已联合模块客户(模块封装厂)和终端使用客户共同定义开发出多个型号的模块产品，后续可提供晶圆和客制化模块两大类产品，目前已量产出货的模块包括以下型号：系列化-发展加速提档 澎芯半导体650V和1200V电压平台的SiC MOSFET产品系列化布局完整，产品涵盖各个行...

澎芯半导体推出650V系列化MOSFET产品 澎芯半导体SiC MOSFET产品推出650V系列化产品，包括650V/30mΩ、650V/45mΩ、650V/60mΩ、650V/260mΩ、650V/500mΩ。当前产品平台，门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-263-7、TO-247-4、TO-247-3等。 此产品晶圆流...

澎芯半导体推出1200V/320mΩ MOSFET产品 澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-252、TO-263-7、TOLL、DFN8*8。 此产品晶圆流片和封装测试均由车规级制造平台完成，目前此平台产品已经通过工控级可靠性认证及AEC-Q101车规级认证，晶圆产出良率＞96%

车规级新品-1200V/15mΩ，产品系列化提档加速车规新品-性能优异 12月12日上午，澎芯半导体1200V电压平台迎来新的成员-1200V/15mΩ的SiC MOSFET产品。此产品由澎芯半导体自主设计研发，拥有自主知识产权，并且联手国内标杆SiC晶圆厂制造完成，产品各项参数性能指标表现非常优异，试产良率达到75%。 模块产品-合作开发据悉，澎芯半导体在前期工程批已完成各项性能指标...

澎芯半导体诚邀您参加广州国际汽车技术展览会-展位号B165

澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。 此产品晶圆流片和封装测试均由车规级制造平台完成，目前已经通过工控级可靠性认证及AEC-Q101车规级认证。 ...

并且科技创新周期和国产化周期为半导体带来新的增长极，“中国芯”崛起已势不可挡！(本文仅为部分"2023硬核中国芯"参评企业，排序不分先后，后续更新请持续关注)绍兴澎芯半导体有限公司澎芯半导体是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体器件研发的设计公司，已与国内外多家专业从事SiC功率器件业务的企业合作完成晶圆制造、芯片封装等。

诚邀莅临第24届光博会(深圳国际会展中心)-澎芯半导体展位4A108展会时间：2023年9月6-8日

本届慕尼黑电子展以“融合创新智引未来”为主题，聚焦新能源汽车、绿色能源、智能网联生态等，参展企业超过1600家，呈现出众多新产品、新技术、新生态，澎芯半导体聚焦碳化硅功率半导体器件，本届展会带来了工业级和车规级的核心功率转换器件，全面展示了澎芯半导体领先的产品技术和典型应用案例，展会期间受到了众多参展观众的青睐，纷纷驻足观瞻和交流洽谈，现场热度爆棚，人流涌动。

澎芯半导体诚邀您参加上海慕尼黑电子展-展位号：7.2F625

澎芯半导体加大投入！持续提升SiC MOS产品的可靠性测试能力来源:芯师爷 澎芯半导体致力于碳化硅(SiC)器件的参数特性和可靠性研究，不断加大公司研发端的器件测试中心和可靠性试验中心的设备投入，以及研发队伍的建设，既为公司产品在各个领域的系统方案中的可靠性保驾护航，又为公司产品在同行业中的参数性能领先性精准助力，同时能提供对顾客响应及时的技术支持服务与提升顾客满意度。SiC MOS器件分选...

澎芯半导体推出性能领先的SiC MOS产品，将通过车规级认证，经过6个月以上的产品开发流程和可靠性考核，新推出性能参数优异，可靠性高的1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品。据介绍，这款SiC MOSFET产品的晶圆流片和封装测试

澎芯半导体SiC MOSFET 1200V车规级平台推出新产品 澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL，经过6个月全面的设计开发和可靠性考核，新推出1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品，使得1200V电压平台的产品更加完善，此平台目前已量产的型号包...

澎芯半导体SiC SBD产品系列化布局优势 SiC二极管已经大量运用于商业化电源，澎芯半导体在器件设计、工艺技术、晶圆制造、封装测试、可靠性验证等方面有一套完整的解决方案，目前已经规模化应用在包括光伏逆变器、充电桩、通讯电源、储能系统等工控领域。深度优化的器件设计结构，改善肖特基结的大漏电及低应用电压问题，降低了器件的关态耗散功率；采用特殊减薄工艺及欧姆接触工艺，降低器件导通电阻，有效提...

深圳分公司成立-更加贴近客户过去的一年在公司所有员工的共同努力下，在合作伙伴的支持与帮助下，澎芯半导体不断地取得突破，2023年03月澎芯半导体-深圳分公司正式设立。澎芯半导体始终追求“精益创新，顾客至上”，坚持以客户需求为创新导向，以质量求生存的经营宗旨，已逐步形成自主的核心技术创新体系。 深圳分公司的团队将以更积极地工作态度与更贴近客户的服务意识，携手客户共同创造美好的未来!

在新能源快速发展的背景下，澎芯半导体将积极地研究新产品与新技术，并且进一步协同供应商加大扩产力度，持续地提升公司的产品技术的领先性与供货能力。 根据澎芯半导体的SiC MOSFET产品技术路径和发展规划，计划2023年Q2推出车规高功率芯片试生产(包括1200V 16mΩ/40mΩ)，推动国产SiC产品“上车”

始终选择：保持与市场同呼吸和心连心澎芯半导体系列化的 SiC MOSFET和SiC SBD产品，分别搭载在客户终端不同场景(包括通信电源模块、充电桩、OBC、DC\DC等)，非常出色的呈现SiC产品在高频率和高效率方面的性能优势，得到客户的高度认可。目前批量化产品在终端的主要应用情况：1、 充电桩设备参数：功率30kW，输出电压：200～1000Vdc，输出电流：100Amax，效率...