澎芯半导体1200V Gen-2新产品发布

   澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，2024年Q3月份推出Gen-2代新产品，已经过6个月全面的可靠性考核，其封装形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL、TOLT。

经过工艺和设计优化，Gen-2代比Gen-1代面积减小约25%，将进一步提升产品性价比。

新产品比导通电阻进一步降低，高温下导通电阻更加稳定，以及通过工艺和设计进一步优化寄生电容参数，减小器件的在上下桥臂电路应用时器件的开关带来的串扰影响。