澎芯半导体加大研发投入！持续提升SiC MOS产品的可靠性测试能力
2023-07-06
澎芯半导体加大投入！持续提升SiC MOS产品的可靠性测试能力
来源:芯师爷
澎芯半导体致力于碳化硅(SiC)器件的参数特性和可靠性研究，不断加大公司研发端的器件测试中心和可靠性试验中心的设备投入，以及研发队伍的建设，既为公司产品在各个领域的系统方案中的可靠性保驾护航，又为公司产品在同行业中的参数性能领先性精准助力，同时能提供对顾客响应及时的技术支持服务与提升顾客满意度。
SiC MOS器件分选平台
器件可靠性平台
器件参数测试平台
基于公司研发能力的不断提升和研发设备的持续投入，澎芯半导体推出Vgs_on为+15V/+18V兼容的1200V 32mΩ和1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品，封装形式包括四种：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。
6吋 SiC MOS 晶圆
SiC MOSFET 封装成品
新推出的SiCMOSFET产品，参数分布一致性较高，平均良率达到85%以上，达到业内领先水平。
本次新产品的推出，使得澎芯半导体1200V电压平台的产品更加完善，此平台目前已量产的型号包括以下：
1200V 40mΩ
1200V 32mΩ
器件各项参数性能指标表现非常优异，请参见下面典型参数曲线，详细规格书和相关应用技术支持，请详询澎芯半导体各经销处。
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