澎芯半导体推出1200V/320mΩ MOSFET产品

        澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-252、TO-263-7、TOLL、DFN8*8。

       此产品晶圆流片和封装测试均由车规级制造平台完成，目前此平台产品已经通过工控级可靠性认证及AEC-Q101车规级认证，晶圆产出良率＞97%，晶圆mapping如下：               

       澎芯半导体1200V电压平台的MOSFET产品日臻完善，包括15mΩ-320mΩ的全系列化产品。

为了完善产品布局和提升顾客服务，即将推出650V电压平台的系列化产品！

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