澎芯半导体SiC MOSFET 1200V车规级平台推出新产品
澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容,封装形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL,经过6个月全面的设计开发和可靠性考核,新推出1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品,使得1200V电压平台的产品更加完善,此平台目前已量产的型号包括以下:
1200V 80mΩ
1200V 60mΩ
1200V 40mΩ
1200V 32mΩ
新推出的1200V 40mΩ产品,采用ⅡⅥ衬底,参数分布一致性较高,平均良率达到85%以上,达到业内领先水平。